这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchild的高性能、高单元密度、DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻并提供优异的开关性能。这些设备特别适用于低电压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，其中需要快速切换、低在线功耗和抗瞬变。
特征
•N通道3.9A，30V。
-RDS（开）=0.065Ω @VGS=10伏
-RDS（开）=0.095Ω @VGS＝4.5V。
•P通道-3.5A，-30V。
-RDS（开）=0.085Ω @电压=-10V
-RDS（开）=0.190Ω @VGS=-4.5V。
•用于极低RDS（ON）的高密度电池设计。
•广泛使用的表面安装封装具有高功率和电流处理能力。
•表面安装封装中的双（N和P沟道）MOSFET。
特色
- P通道 -3.5安培，-30伏 RDS（开）=0.085Ω@VGS=-10V RDS（开）=0.190Ω@VGS=-4.5V
- N通道 3.9安培，30伏 RDS（开）=0.065Ω@VGS=10V RDS（开）=0.095Ω@VGS=4.5V
- 广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力
- 用于极低RDS（ON）的高密度电池设计
- 表面安装封装中的双（N和P沟道）MOSFET
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
（图片：引出线）
