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FDG6321C

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安, 410毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.40416 3.40416
10+ 2.93337 29.33375
100+ 2.19097 219.09770
500+ 1.72120 860.60150
1000+ 1.33001 1330.01400
3000+ 1.24469 3734.07600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥4.05602
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.40
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 最大功率 300mW
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 供应商设备包装 SC-88(SC-70-6)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 500毫安, 410毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 450毫欧姆 @ 500毫安, 4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50皮法 @ 10V

FDG6321C 产品详情

这些双N沟道和P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管使用专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻。该器件特别设计用于低压应用,作为双极数字晶体管和小信号MOSFET的替代品。由于不需要偏置电阻,这种双数字FET可以用不同的偏置电阻值来代替几个不同的数字晶体管。

特色

  • N-通道 0.50安培,25伏 RDS(开)=0.45Ω@VGS=4.5 V RDS(开)=0.60Ω@VGS=2.7 V
  • P通道 -0.41安培,-25伏 RDS(开)=1.1Ω@VGS=-4.5 V RDS(开)=1.5Ω@VGS=-2.7 V
  • 非常小的包装轮廓SC70-6。
  • 极低水平的栅极驱动要求,允许在3 V电路中直接操作(VGS(th)<1.5 V)。
  • 用于ESD耐用性的栅源齐纳(>6kV人体模型)。

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDG6321C所属分类:场效应晶体管阵列,FDG6321C 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDG6321C价格参考¥4.056024,你可以下载 FDG6321C中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDG6321C规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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