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FDG6332C

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安, 600毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.05602 4.05602
10+ 3.28827 32.88277
100+ 2.24095 224.09530
500+ 1.68078 840.39350
1000+ 1.26055 1260.55400
3000+ 1.15553 3466.59600
6000+ 1.11417 6685.05000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥4.05602
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.06
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 最大功率 300mW
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 供应商设备包装 SC-88(SC-70-6)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 700毫安, 600毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 300毫欧姆 @ 700毫安, 4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 113皮法@10V

FDG6332C 产品详情

N沟道和P沟道MOSFET采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺生产,该工艺经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持优异的开关性能。

这些设备的设计目的是在非常小的占地面积内为更大更昂贵的TSSOP-8和SSOP-6封装不切实际的应用提供卓越的功耗。

特色

  • Q1 0.7A,20V RDS(ON)=300mΩ@VGS=4.5VRDS(ON)=400mΩ@VGS=2.5V
  • Q2-0.6A,-20V RDS(开启)=420mΩ@VGS=-4.5V RDS(打开)=630mΩ@VGA=-2.5V
  • 低栅极电荷
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
  • SC70-60封装:占地面积小(比SSOT-6小51%);薄型(1mm厚)

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDG6332C所属分类:场效应晶体管阵列,FDG6332C 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDG6332C价格参考¥4.056024,你可以下载 FDG6332C中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDG6332C规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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