N沟道和P沟道MOSFET采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺生产,该工艺经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持优异的开关性能。
这些设备的设计目的是在非常小的占地面积内为更大更昂贵的TSSOP-8和SSOP-6封装不切实际的应用提供卓越的功耗。
特色
- Q1 0.7A,20V RDS(ON)=300mΩ@VGS=4.5VRDS(ON)=400mΩ@VGS=2.5V
- Q2-0.6A,-20V RDS(开启)=420mΩ@VGS=-4.5V RDS(打开)=630mΩ@VGA=-2.5V
- 低栅极电荷
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
- SC70-60封装:占地面积小(比SSOT-6小51%);薄型(1mm厚)
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。