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FDG1024NZ

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.14245 5.14245
10+ 4.55578 45.55784
100+ 3.49325 349.32510
500+ 2.76142 1380.71400
1000+ 2.20915 2209.15700
3000+ 2.19655 6589.66200
  • 库存: 75
  • 单价: ¥5.14246
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.14
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 最大功率 300mW
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 供应商设备包装 SC-88(SC-70-6)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.6nC @ 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 150皮法@10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.2A
  • 导通电阻 Rds(ON) 175毫欧姆@1.2A,4.5V

FDG1024NZ 产品详情

PowerTrench®双N沟道MOSFET,Fairchild半导体

ON Semis PowerTrench®MOSFET经过优化的功率开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷、小反向恢复和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • VGS=4.5 V,ID=1.2 A时,最大rDS(开启)=175 mO
  • VGS=2.5 V,ID=1.0 A时,最大rDS(开启)=215 mO
  • VGS=1.8 V,ID=0.9 A时,最大rDS(开启)=270 mO
  • VGS=1.5 V,ID=0.8 A时,最大rDS(开启)=389 mO
  • HBM ESD保护等级>2 kV(注3)
  • 极低电平栅极驱动要求,允许在1.5 V电路中运行(VGS(th)<1 V)
  • 非常小的包装轮廓SC70-6
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDG1024NZ所属分类:场效应晶体管阵列,FDG1024NZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDG1024NZ价格参考¥5.142459,你可以下载 FDG1024NZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDG1024NZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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