ON Semis PowerTrench®MOSFET经过优化的功率开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷、小反向恢复和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。
特色
- VGS=4.5 V,ID=1.2 A时,最大rDS(开启)=175 mO
- VGS=2.5 V,ID=1.0 A时,最大rDS(开启)=215 mO
- VGS=1.8 V,ID=0.9 A时,最大rDS(开启)=270 mO
- VGS=1.5 V,ID=0.8 A时,最大rDS(开启)=389 mO
- HBM ESD保护等级>2 kV(注3)
- 极低电平栅极驱动要求,允许在1.5 V电路中运行(VGS(th)<1 V)
- 非常小的包装轮廓SC70-6
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。