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FDG8842CZ

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 25V 漏源电流 (Id) @ 温度: 750毫安, 410毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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    - +
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 最大功率 300mW
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 供应商设备包装 SC-88(SC-70-6)
  • 导通电阻 Rds(ON) 400毫欧姆 @ 750毫安, 4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.44nC @ 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 120皮法@10V
  • 漏源电压标 (Vdss) 30V, 25V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 750毫安, 410毫安

FDG8842CZ 产品详情

这些N和P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管使用专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻。该器件特别设计用于低压应用,作为双极数字晶体管和小信号MOSFET的替代品。由于不需要偏置电阻,这种双数字FET可以用不同的偏置电阻值来代替几个不同的数字晶体管。

特色

  • Q1:当VGS=4.5V时,N通道最大rDS(开启)=0.4Ω,当VGS=2.7V时,ID=0.75A最大rDS,开启)=0.5Ω,ID=0.67A
  • Q2:P-ChannelMax rDS(开启)=1.1Ω,VGS=-4.5V,ID=-0.41AMax rDS(打开)=1.5Ω,VGS=-2.7V,ID=-0.25A
  • 极低水平的栅极驱动要求,允许在3V电路中直接操作(VGS(th)<1.5V)
  • 非常小的包装轮廓SC70-6
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDG8842CZ所属分类:场效应晶体管阵列,FDG8842CZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDG8842CZ价格参考¥4.667325,你可以下载 FDG8842CZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDG8842CZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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