ON Semis PowerTrench®MOSFET经过优化的功率开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷、小反向恢复和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。
特色
- Q1 N信道最大值。RDS(开启)=9.6 mΩ,VGS=4.5 V,ID=10 A
- Q2 N信道最大值。RDS(开启)=2.7 mΩ,VGS=4.5 V,ID=22 A
- 低电感封装缩短了上升/下降时间,从而降低了开关损耗
- MOSFET集成可实现优化布局,降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS
应用
- 分配
- 其他有线通信
- 计算
- 通信
- 通用负载点