增强型场效应晶体管采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被设计为最小化导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- 3.5 A，60 VRDS（开启）=0.100Ω@VGS=10 VRDS（打开）=0.200Ω@VGS=4.5 V
- 用于极低RDS（ON）的高密度电池设计
- 广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力
- 表面安装封装中的双MOSFET
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
NDS9945
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 13.61665 | 13.61665 |
| 10+ | 12.24774 | 122.47744 |
| 100+ | 9.84599 | 984.59980 |
| 500+ | 8.08945 | 4044.72500 |
| 1000+ | 7.35407 | 7354.07900 |
| 2500+ | 7.35407 | 18385.19750 |
- 库存: 0
- 单价: ¥11.08164
-
数量:
- +
- 总计: ¥13.62
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.5A
- 最大功率 900mW
- 漏源电压标 (Vdss) 60V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30nC @ 10V
- 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@3.5A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 345皮法 @ 25V
NDS9945 产品详情
增强型双MOSFET，Fairchild半导体
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | NDS6D2415C | 村田电子制作所 (Elcom) | 电压输出2: -15伏 功率（瓦特）: 6 W 效率值: 87.5% 包装/外壳: 24-DIP Module, 8 Leads 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥147.03087 |
| NDS7002A-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.0774 |
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| NDS-02V | 类型：平拨，凸起式 电路结构：单刀单掷 开关位数：2 颜色：红色 | ¥3.1108 | |
 | NDS-06V | 暂无 | ¥3.54168 |
NDS9945所属分类：场效应晶体管阵列，NDS9945 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NDS9945价格参考￥11.081637，你可以下载 NDS9945中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NDS9945规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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