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NVMFD5C650NLT1G

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、111A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 36.06964 36.06964
10+ 32.38300 323.83006
100+ 26.53219 2653.21910
500+ 22.58654 11293.27450
1500+ 21.64649 32469.73950
  • 库存: 0
  • 单价: ¥20.06283
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥36.07
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 标准
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16nC @ 4.5V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 供应商设备包装 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.2毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 21A(Ta)、111A(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@98A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2546华氏度@25伏
  • 最大功率 3.5W (Ta), 125W (Tc)

NVMFD5C650NLT1G 产品详情

ON Semiconductor NVMFD5C功率MOSFET通过AEC-Q101认证,具有PPAP能力,适用于汽车应用。NVMFD5C MOSFET具有低导通电阻以最小化传导损耗,以及低QG和电容以最小化驱动器损耗。这些功率MOSFET经过100%雪崩测试,可提供用于增强光学检查的可湿侧选项。

特色

  • 紧凑设计的小占地面积(5x6 mm)
  • 低rDS(开启)以最小化传导损耗
  • 低QG和电容以最小化驱动器损耗
  • NVMFD5C650NLWF−可湿侧选项,用于增强光学检查
  • AEC−Q101合格和PPAP能力
  • 符合RoHS

应用

  • 电磁阀驱动器
  • 低端/高端驱动器
  • 汽车发动机控制器
  • 防抱死制动系统
NVMFD5C650NLT1G所属分类:场效应晶体管阵列,NVMFD5C650NLT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NVMFD5C650NLT1G价格参考¥20.062833,你可以下载 NVMFD5C650NLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NVMFD5C650NLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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