9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVMFD5852NLFT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NVMFD5852NLFT1G参考价格为2.16000美元。onsemi NVMFD5852NLWFT1G封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL。您可以下载NVMFD5852NLFT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NVMFD5489NLWFT1G，带有引脚细节，包括NVMFD589NL系列，它们设计用于带卷（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001319盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PowerTDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2信道数，器件具有8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称）供应商器件封装，配置为双，FET类型为2 N信道（双），最大功率为3W，晶体管类型为2 N-信道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为330pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs上的Rds为65mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为12.4nC@10V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，漏极-源极电阻Rds为65mOhm，晶体管极性为N沟道。
NVMFD5489NLT3G带有用户指南，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称），以及NVMFD589NL系列，该器件也可以用作65mOhm@15A、10V Rds On Max Id Vgs。此外，功率最大值为3W，该设备采用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，该设备具有8 PowerTDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），信道数量为2信道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为330pF@25V，栅极电荷Qg-Vgs为12.4nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A。
带有电路图的NVMFD5489NLT1G，包括4.5A电流连续漏极Id 25°C，设计用于60V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双通道），栅极电荷Qg Vgs设计用于12.4nC@10V，以及330pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用8-PowerTDFN封装盒，该设备具有磁带和卷轴（TR）交替封装，功率最大值为3W，Rds On Max Id Vgs为65mOhm@15A，10V，供应商设备封装为8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称），Vgsth最大Id为2.5V@250μA。
NVMFD5489NLWFT3G，带EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于表面安装安装型，FET功能如数据表注释所示，用于逻辑电平门，提供封装盒功能，如8-PowerTDFN，供应商设备包设计用于8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称），除了65mOhm@15A，10V Rds On Max Id Vgs，该器件还可以用作60V漏极到源极电压Vdss，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件提供4.5A电流连续漏极Id 25°C，该器件具有3W的最大功率，输入电容Ciss Vds为330pF@25V，Vgs th Max Id为2.5V@250μa，FET类型为2N沟道（双），栅极电荷Qg Vgs为12.4nC@10V。
