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FDMD84100

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双)公共源 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: Power 3.3x5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥21.14927
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥21.15
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 2个N通道(双)公共源
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 导通电阻 Rds(ON) 20欧姆@7A,10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7A
  • 最大功率 2.1瓦
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 980皮法@50V
  • 供应商设备包装 Power 3.3x5

FDMD84100 产品详情

该软件包集成了两个内部连接的N通道设备,采用公共源配置。这实现了非常低的封装寄生和到底部公共源极焊盘的优化热路径。提供非常小的占地面积(3.3 x 5 mm)以实现更高的功率密度。

特色

  • VGS=10 V,ID=7 A时,最大rDS(开)=20 mΩ
  • VGS=6 V,ID=5.5 A时,最大rDS(开)=32 mΩ
  • 适用于二次侧同步整流的灵活布局
  • 终端为无铅且符合RoHS
  • 100%UIL测试

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDMD84100所属分类:场效应晶体管阵列,FDMD84100 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDMD84100价格参考¥21.149268,你可以下载 FDMD84100中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDMD84100规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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