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FDC8602

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.80592 11.80592
10+ 10.57463 105.74634
100+ 8.24604 824.60420
500+ 6.81194 3405.97350
1000+ 5.70378 5703.78400
3000+ 5.70378 17111.35200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥10.86435
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.81
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 供应商设备包装 SuperSOT-6.
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.2A
  • 导通电阻 Rds(ON) 350毫欧姆 @ 1.2A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 70皮法 @ 50V
  • 最大功率 690mW

FDC8602 产品详情

该N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺生产,该工艺针对rDS(开启)、开关性能和耐用性进行了优化。

特色

  • VGS=10 V,ID=1.2 A时,最大rDS(开)=350 mΩ
  • VGS=6 V,ID=0.9 A时,最大rDS(开)=575 mΩ
  • 用于极低rDS的高性能沟槽技术(开启)
  • 广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力
  • 快速切换速度
  • 100%UIL测试
  • 符合RoHS

应用

  • 分配
FDC8602所属分类:场效应晶体管阵列,FDC8602 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDC8602价格参考¥10.864350,你可以下载 FDC8602中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDC8602规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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