特色
- 占地面积小（2 x 2 mm）
- 低栅电荷N沟道器件
- ESD保护门
- 与SC-70相同的封装（6引线）
- AEC−Q101合格和PPAP能力
- 符合RoHS
应用
- 负载电源切换
- 锂离子电池供电设备
- DC-DC转换
- 手机、媒体播放器、数码相机、PDA
（图片：引出线）
NVJD4401NT1G
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.88991 | 2.88991 |
- 库存: 100
- 单价: ¥2.88992
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.89
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3nC @ 4.5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 630毫安
- 最大功率 270毫瓦
- 供应商设备包装 SC-88/SC70-6/SOT-363
- 导通电阻 Rds(ON) 375毫欧姆 @ 630毫安, 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 46皮法 @ 20V
NVJD4401NT1G 产品详情
汽车功率MOSFET。该N沟道双器件采用ON Semiconductor领先的平面工艺设计，占地面积小（2x2 mm），可实现小占地面积和提高效率。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
NVJD4401NT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| NVJD4401NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.88992 |
 | NVJD5121NT1G-M06 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安（Ta） 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.62303 |
 | NVJD5121NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.96959 |
 | NVJS4151PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A（Ta） 最大功耗: 1.2W（Ta） 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 |
 | NVJS4405NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.57943 |
 | NVJS3151PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A（Ta） 最大功耗: 625mW (Ta) 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.65186 |
NVJD4401NT1G所属分类：场效应晶体管阵列，NVJD4401NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVJD4401NT1G价格参考￥2.889917，你可以下载 NVJD4401NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVJD4401NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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