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NVJS3151PT1G

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Ta) 最大功耗: 625mW (Ta) 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2671

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  • 单价: ¥0.65186
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,741.12
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 12伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 部件状态 过时的
  • 最大功耗 625mW (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.6 nC @ 4.5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.7A(Ta)
  • 供应商设备包装 SC-88/SC70-6/SOT-363
  • 导通电阻 Rds(ON) 60毫欧姆 @ 3.3A, 4.5V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@100A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 850 pF @ 12 V
  • 样式 -

NVJS3151PT1G 产品详情

NVJS3151PT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NVJS3151PT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NVJS3151PT1G价格参考¥0.651861,你可以下载 NVJS3151PT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NVJS3151PT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

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