特色
- 低导通电阻
- 最小传导损耗
- 高电流能力
- 强大的负载性能
- 100%雪崩测试
- 防止电压过应力故障
- AEC−Q101合格和PPAP能力
- 适用于汽车应用
- NVMFD5C446NWF−可湿侧选项
- 增强型光学检查
- 符合RoHS
应用
- 电磁阀驱动器
- 低端/高端驱动器
- 汽车发动机控制器
- 防抱死制动系统
NVMFD5C446NLWFT1G
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Ta）、145A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 37.59065 | 37.59065 |
| 10+ | 33.75191 | 337.51914 |
| 100+ | 27.65411 | 2765.41160 |
| 500+ | 23.54145 | 11770.72650 |
| 1500+ | 22.56163 | 33842.45100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥20.93198
-
数量:
- +
- 总计: ¥37.59
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 标准
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 供应商设备包装 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25nC @ 4.5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 25A（Ta）、145A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 2.65欧姆@20A、10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@90A.
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3170皮法 @ 25V
- 最大功率 3.5W (Ta)
NVMFD5C446NLWFT1G 产品详情
ON Semiconductor NVMFD5C功率MOSFET通过AEC-Q101认证，具有PPAP能力，适用于汽车应用。NVMFD5C MOSFET具有低导通电阻以最小化传导损耗，以及低QG和电容以最小化驱动器损耗。这些功率MOSFET经过100%雪崩测试，可提供用于增强光学检查的可湿侧选项。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | NVMFD5C466NLWFT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、52A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.29892 |
 | NVMFD5C672NLWFT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、49A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.92277 |
 | NVMFD5C478NLT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A（Ta）、29A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.31533 |
 | NVMFD5C462NLT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、84A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.29892 |
 | NVMFD5483NLWFT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.94014 |
 | NVMFS5834NLWFT3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、75A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 107W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.11157 |
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NVMFD5C446NLWFT1G所属分类：场效应晶体管阵列，NVMFD5C446NLWFT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVMFD5C446NLWFT1G价格参考￥20.931981，你可以下载 NVMFD5C446NLWFT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVMFD5C446NLWFT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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