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NTHD4502NT1G

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.90876 8.90876
10+ 7.95994 79.59947
100+ 6.20861 620.86140
500+ 5.12869 2564.34850
1000+ 4.29431 4294.31500
3000+ 4.29431 12882.94500
  • 库存: 3987
  • 单价: ¥6.66347
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.91
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7nC @ 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.2A
  • 导通电阻 Rds(ON) 85毫欧姆 @ 2.9A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 140皮法@15V
  • 最大功率 640mW
  • 供应商设备包装 ChipFET

NTHD4502NT1G 产品详情

该设备针对快速低端开关应用进行了优化。它采用了一种技术,可在低栅极电荷和低RDS(开启)之间实现平衡

特色

  • 平面技术设备提供低RDS(开启)和快速切换速度
  • 无引线ChipFET™ 封装的占地面积比TSOP-6小40%。在电路板空间很高的情况下,处理设备应用。
  • 芯片场效应晶体管™ 包装具有优异的热性能。非常适合需要传热的应用。

应用

  • DC-DC降压或升压转换器
  • 低压侧开关
  • 针对计算和便携式设备中的电池和低端开关应用进行了优化


(图片:引出线)

NTHD4502NT1G所属分类:场效应晶体管阵列,NTHD4502NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTHD4502NT1G价格参考¥6.663468,你可以下载 NTHD4502NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTHD4502NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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