特色
- 互补N沟道和P沟道MOSFET
- 小尺寸，比TSOP-6封装小40%
- 无引线SMD封装提供良好的热特性
- 领先的低导通电阻沟槽技术
- 降低栅极电荷以提高开关响应
应用
- DC-DC转换电路
- 负载/电源切换
- 单电池或双电池锂离子电池供电设备
- 非常适合便携式电池供电产品中的电源管理应用
（图片：引出线）
NTHD3102CT1G
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A, 3.1A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 8.03961 | 8.03961 |
| 10+ | 7.17771 | 71.77714 |
| 100+ | 5.59803 | 559.80370 |
| 500+ | 4.62459 | 2312.29600 |
| 1000+ | 3.87219 | 3872.19900 |
| 3000+ | 3.87227 | 11616.81600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥6.66347
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.04
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 N和P通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 最大功率 1.1瓦
- 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
- 供应商设备包装 ChipFET
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4A, 3.1A
- 导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 4.4A, 4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.9nC @ 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 510皮法 @ 10V
NTHD3102CT1G 产品详情
功率MOSFET互补，20 V+5.5 A/-4.2 A，ChipFET™
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | NTHD5903T1 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET | ¥1.01401 |
 | NTHS0805N03N1001JR | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 1K 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥14.42786 |
 | NTHS0805N03N3300KE | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 330 阻值公差: ±10% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥43.5588 |
 | NTHS0805N04N3303JU | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 330k 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥6.78687 |
 | NTHS0805N06N2001JE | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 2K 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 安装类别: 表面安装 | ¥5.50891 |
NTHD3102CT1G所属分类：场效应晶体管阵列，NTHD3102CT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTHD3102CT1G价格参考￥6.663468，你可以下载 NTHD3102CT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTHD3102CT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
