久芯网
BOM 购物车
FDZ1323NZ
收藏 FDZ1323NZ数据手册PDF

FDZ1323NZ

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A 供应商设备包装: 6-WLCSP (1.3x2.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.56062 9.56062
10+ 8.56110 85.61108
100+ 6.67215 667.21590
500+ 5.51155 2755.77850
1000+ 4.61503 4615.03100
5000+ 4.61503 23075.15500
  • 库存: 65577
  • 单价: ¥7.89476
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.56
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 场效应管类型 2 N通道（双）公共漏极
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24nC @ 10V
  • 最大功率 500mW
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 10A
  • 导通电阻 Rds(ON) 13毫欧姆@1A，4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2055FF@10V
  • 包装/外壳 6-XFBGA, WLCSP
  • 供应商设备包装 6-WLCSP (1.3x2.3)

FDZ1323NZ 产品详情

该设备专门设计为锂离子电池组保护电路和其他超便携应用的单封装解决方案。FDZ1323NZ采用先进的PowerTrench®工艺，采用最先进的“低间距”WLCSP封装工艺，具有两个公共漏极N沟道MOSFET，可实现双向电流流动。FDZ1323新西兰最大限度地减少PCB空间和rS1S2（打开）。这种先进的WLCSP MOSFET体现了封装技术的突破，使器件能够结合优异的热传递特性、超低外形封装、低栅极电荷和低rS1S2（on）。

特色

  • VGS=4.5 V，IS1S2=1 A时，最大rS1S2（开启）=13 mΩ
  • VGS=4 V，IS1S2=1 A时，最大rS1S2（开启）=13 mΩ
  • VGS=3.8 V，IS1S2=1 A时，最大rS1S2（开启）=13 mΩ
  • VGS=3.7 V，IS1S2=1 A时，最大rS1S2（开启）=16 mΩ
  • VGS=3.1 V，IS1S2=1 A时，最大rS1S2（开启）=16 mΩ
  • VGS=2.5 V，IS1S2=1 A时，最大rS1S2（开启）=18 mΩ
  • 仅占用3 mm2的PCB面积
  • 超薄封装：安装到PCB上时高度小于0.35 mm
  • 高功率和电流处理能力
  • HBM ESD保护等级>3.6 kV（注3）
  • 符合RoHS

应用

  • 移动手持设备
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 蓄电池保护

FDZ1323NZ 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
FDZT40RB5.1FDZT40RB5.1罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 5.1 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥2.46259
FDZT40RB7.5FDZT40RB7.5罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 7.5 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥2.46259
FDZT40RB5.6FDZT40RB5.6罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 5.6 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥1.42733
FDZT40RB6.2FDZT40RB6.2罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥1.47755
FDZT40RB6.8FDZT40RB6.8罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥1.85418
FDZT40RB8.2FDZT40RB8.2罗姆 (Rohm)DIODE ZENER 100MW 8.2V SMD0402¥2.46259
FDZ1323NZFDZ1323NZ安盛美 (onsemi)场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A 供应商设备包装: 6-WLCSP (1.3x2.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥7.89476
FDZ2554PZFDZ2554PZ场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A 供应商设备包装: 18-BGA（2.5x4） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥4.27331
FDZ4002LFDZ4002L安盛美 (onsemi)IC POWER MANAGEMENT¥45.72731
FDZ5013C-1FDZ5013C-1DOUBLER,FREQUENCY¥0.00
FDZ1323NZ所属分类：场效应晶体管阵列，FDZ1323NZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDZ1323NZ价格参考￥7.894761，你可以下载 FDZ1323NZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDZ1323NZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

展开

该制造商其他商品

会员中心 微信客服
客服
回到顶部