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NTMD3P03R2G

  • 描述:场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.34A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.90876 8.90876
10+ 7.98167 79.81676
100+ 6.22092 622.09270
500+ 5.13927 2569.63600
1000+ 4.30315 4303.15200
2500+ 4.30315 10757.88000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥8.69148
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.91
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 2个P通道(双通道)
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.34A
  • 导通电阻 Rds(ON) 85毫欧姆 @ 3.05A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 750皮法 @ 24V
  • 最大功率 730mW

NTMD3P03R2G 产品详情

功率MOSFET-3.05安培,-30伏双P−通道SOIC−8

特色

  • 双SO-8封装中的高效组件
  • 具有低RDS的高密度功率MOSFET(on)
  • 小型SOIC-8表面贴装封装——节省电路板空间
  • 二极管表现出高速和软恢复
  • 高温下规定的IDSS
  • 指定雪崩能量
  • 提供SO-8组件的安装信息
  • 符合RoHS

应用

  • DC-DC转换器
  • 低压电机控制
  • 便携式和电池供电产品中的电源管理
  • 计算机、打印机、PCMCIA卡、蜂窝电话和无绳电话
NTMD3P03R2G所属分类:场效应晶体管阵列,NTMD3P03R2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTMD3P03R2G价格参考¥8.691480,你可以下载 NTMD3P03R2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTMD3P03R2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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