9icnet为您提供由其他公司设计和生产的SI6963DQ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI6963DQ参考价格为0.23000美元。其他SI6963DQ封装/规格：P沟道MOSFET。您可以下载SI6963DQ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI6963BDQ-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP，它们设计用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装型功能。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件具有逻辑电平栅极FET功能，该器件的电流连续漏极Id为3.4A，25°C，最大Id Vgs的Rds为45 mOhm@3.9A，4.5V，Vgs最大Id为1.4V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为11nC@4.5V。
SI6963BDQ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP，包括1.4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8-TSSOP供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于45 mOhm@3.9A，4.5V，提供功率最大功能，如830mW，封装设计用于Digi-ReelR，以及8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供11nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，该器件具有2个P通道（双）FET类型，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3.4A。
SI6963BDQ，带有VISHAY制造的电路图。SI6963BDQ在TSSOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
