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SI6954ADQ-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI6954A-DQ-GE3中使用的零件别名，该SI6954AD Q-GE3提供单位重量功能，例如0.005573盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒外，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件有2个通道数，供应商器件封装为8-TSSOP，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为830mW，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.1A，最大Id Vgs上的Rds为53 mOhm@3.4A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA（最小），栅极电荷Qg Vgs为16nC@10V，Pd功耗为830 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，第Vgs栅极源极阈值电压为1 V，Rds漏极源极电阻为53 mOhm，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是23ns，并且典型接通延迟时间是12ns，并且Qg栅极电荷是8nC，并且沟道模式是增强。
SI6955ADQ-T1-E3是MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP，包括1V@250μA（最小）Vgs th Max Id，它们设计用于与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如80 mOhm@2.9A，10V，Power Max设计用于830mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有8nC@5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为2.5A。
SI6955ADQ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP，包括2.5A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于8nC@5V，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，包装箱为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽），设备采用磁带和卷轴（TR）包装，设备最大功率为830mW，Rds On Max Id Vgs为80mOhm@2.9A，10V，系列为TrenchFETR，供应商设备包装为8-TSSSOP，Vgs th Max Id为1V@250μa（Min）。
