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CSD85301Q2T是MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON，包括NexFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000342盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于NexFET，以及6-WDFN暴露焊盘包装盒，该设备也可以用作硅技术，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件有2个通道数，供应商设备包为6-WSON（2x2），配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为2.3W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为469pF@10V，FET特性为逻辑电平门，5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为5A，最大Id Vgs上的Rds为27mOhm@5A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.4nC@4.5V，Pd功耗为2.3W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为15 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgs第栅-源极阈值电压为600 mV，Rds漏极源极电阻为99 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为5.4nC。
CSD85302L是MOSFET 2N-CH 20V 5A，包括680 mV Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-10 V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，具有典型的开启延迟时间特性，如37 ns，典型的关闭延迟时间设计为173 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术是硅，该设备提供4-Picostar（1.31x1.31）供应商设备包，该设备具有NexFET？串联，上升时间为54ns，漏极-源极电阻Rds为36mOhm，Qg栅极电荷为6nC，最大功率为1.7W，Pd功耗为1.7 W，封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，封装盒为4-XFLGA，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为7 A，栅极电荷Qg Vgs为7.8nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双）公共漏极，FET特性为标准，下降时间为99 ns，配置为双，并且信道模式是增强。
CSD85302LT是MOSFET 2N-CH，包括增强沟道模式，它们设计用于双配置，下降时间显示在数据表注释中，用于99纳秒，提供FET特性，如标准，FET类型设计用于2 N沟道（双）公共漏极，以及7.8nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，该器件也可以用作7 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，通道数为2通道，其工作温度范围在-55°C~150°C（TJ），封装外壳为4-XFLGA，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为1.7 W，最大功率为1.7W，Qg栅极电荷为6 nC，Rds漏极-源极电阻为36 mOhm，上升时间为54 ns，系列为NexFET？，供应商器件封装为4-Picostar（1.31x1.31），技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，典型关断延迟时间为173ns，典型接通延迟时间为37ns，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极电压为+/-10V，Vgs第栅极-源阈值电压为680mV。
