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品牌介绍

德州仪器公司(TI)是一家开发模拟IC和嵌入式处理器的全球半导体设计和制造公司。通过雇用世界上最聪明的人,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过10万名客户改变未来。

英文全称: Texas Instruments

中文全称: 德州仪器

英文简称: Texas

品牌地址: http://www.ti.com

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描述
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操作
CSD87381PT
CSD87381PT
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: 5-PTAB (3x2.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.47419

260

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.47419

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CSD87502Q2T
CSD87502Q2T
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 6-WSON (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.05363

26152

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.05363

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CSD87330Q3D
CSD87330Q3D
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A 供应商设备包装: 8-LSON (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.90610

961

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.90610

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CSD85312Q3E
CSD85312Q3E
场效应管类型: 2个N通道(双)公共源 场效应管特性: 逻辑电平门,5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A 供应商设备包装: 8-VSON (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.53262

7221

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.53262

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CSD87312Q3E
CSD87312Q3E
场效应管类型: 2个N通道(双)公共源 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A 供应商设备包装: 8-VSON (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.47419

4737

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.47419

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CSD87333Q3D
CSD87333Q3D
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门,5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: 8-VSON (3.3x3.3) 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥9.70549

3414

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.70549

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CSD85301Q2T
CSD85301Q2T
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 6-WSON (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.12605

12746

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.12605

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CSD83325LT
CSD83325LT
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 12伏 供应商设备包装: 6-PicoStar 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.19848

1605

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.19848

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CSD87384M
CSD87384M
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A 供应商设备包装: 5-PTAB (5x3.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.25451

289

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.25451

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CSD87313DMST
CSD87313DMST
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 供应商设备包装: 8-WSON (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.23810

7241

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.23810

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CSD85302LT
CSD85302LT
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 供应商设备包装: 4-Picostar (1.31x1.31) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.83634

2

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.83634

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CSD87381P
CSD87381P
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: 5-PTAB (3x2.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.40298

74

2-3 工作日

- +

合计: ¥10.40298

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CSD86356Q5DT
CSD86356Q5DT
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门,5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 供应商设备包装: 8-VSON-CLIP (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.81514

1000

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.81514

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CSD86356Q5D
CSD86356Q5D
CSD86356Q5D 25V, NCH SYNCHRONOUS

¥8.69148

12500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,181.56148

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CSD87503Q3E
CSD87503Q3E
场效应管类型: 2个N通道(双)公共源 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 供应商设备包装: 8-VSON (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.24290

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.24290

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TPS2013APWR
TPS2013APWR
HIGH-SIDE MOSFET SWITCH

¥3.69388

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,813.69459

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CSD75208W1015T
CSD75208W1015T
场效应管类型: 2个P通道(双)公共源 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A 供应商设备包装: 6-DSBGA (1x1.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.61905

783

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.61905

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CSD87503Q3ET
CSD87503Q3ET
场效应管类型: 2个N通道(双)公共源 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 供应商设备包装: 8-VSON (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.69148

735

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.69148

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CSD87588NT
CSD87588NT
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A 供应商设备包装: 5-PTAB (5x3.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.58864

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.58864

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CSD87501LT
CSD87501LT
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 供应商设备包装: 10 Picostar(3.37x1.47) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.98120

398

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.98120

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