CSD86356Q5DT

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 2 N通道（半桥）
• 安装类别 表面安装
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 漏源电压标 (Vdss) 25伏
• 制造厂商 德州仪器 (Texas)
• 场效应管特性 逻辑电平门，5V驱动
• 包装/外壳 8-PowerTDFN
• 漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Ta)
• 导通电阻 Rds(ON) 4.5毫欧姆 @ 20A, 5V, 0.8毫欧姆 @ 20A, 5V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.85V@250A、 1.5V@250A.
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
• 最大功率 12W（Ta）
• 供应商设备包装 8-VSON-CLIP (5x6)