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CSD87502Q2是MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON，包括NexFET？系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起使用，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000342盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于NexFET，以及6-WDFN外露衬垫包装盒，该设备也可以用作Si技术，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件有2个通道数，供应商器件封装为6-WSON（2x2），FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为2.3W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为353pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5A，最大Id Vgs上的Rds为32.4 mOhm@4A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6nC@10V，Pd功耗为2.3 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为3 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs栅-源极阈值电压为1.6 V，Rds漏极源极电阻为42 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为3ns，Qg栅极电荷为2.2nC，正向跨导最小值为75S，信道模式为增强。
CSD87501LT是MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR，包括2.3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1.3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压特性，如30 V，典型开启延迟时间设计为164 ns，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有技术Si，供应商器件封装为10 Picostar（3.37x1.47），系列为NexFET？，上升时间为260ns，漏极-源极电阻Rds为9.3mOhms，Qg栅极电荷为15nC，最大功率为2.5W，Pd功耗为2.5W。封装为Digi-ReelR交替封装，封装盒为10-XFBGA，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为72 A，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，FET类型为2 N沟道（双）公共漏极，FET特性为逻辑电平门，下降时间为712 ns，配置为双。
CSD87501L是MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR，包括逻辑电平栅极FET功能，它们设计用于2 N沟道（双）公共漏极FET类型，栅极电荷Qg Vgs如数据表注释所示，用于40nC@10V，提供表面安装等安装类型功能，安装类型设计用于SMD/SMT，以及2沟道数量的信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，包装箱为10-XFBGA，设备采用Digi-ReelR替代包装包装，设备最大功率为2.5W，系列为NexFET？，供应商设备包为10 Picostar（3.37x1.47），技术为Si，商品名为NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2 N沟道。Vgs th最大Id为2.3V@250μA。
CSD87502Q2T是MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON，包括表面安装型，它们设计用于使用硅技术，系列如数据表注释所示，用于NexFET？，该器件提供NexFET、晶体管极性等商标功能，设计用于N沟道，以及逻辑电平门、5V驱动FET功能，该器件也可以用作Digi-ReelR替代封装。此外，供应商设备包为6-WSON（2x2），该设备采用6-WDFN暴露焊盘包外壳提供，该设备具有6nC@10V的栅极电荷Qg Vgs，电流连续漏极Id 25°C为5A，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），输入电容Cis Vds为353pF@15V，最大Id Vgs的Rds为32.4 mOhm@4A，10V，漏极到源极电压Vdss为30V，Vgs th Max Id为2V@250μA，最大功率为2.3W，FET类型为2N通道（双通道），晶体管类型为2NN通道，通道数为2通道。
