CSD87333Q3DT NexFET功率块是一种针对同步降压和升压应用的优化设计,以小的3.3-mm×3.3-mm外形提供高电流、高效率和高频能力。该产品针对5V栅极驱动应用进行了优化,当与外部控制器或驱动器配对时,可为高占空比应用提供灵活的解决方案。
特色
- 半桥电源块
- 针对高占空比进行了优化
- 高达24 Vin
- 8 A时系统效率为94.7%
- 8 A时的1.5 W功率损耗
- 高达15-A操作
- 高频操作(最高1.5 MHz)
- 高密度SON 3.3-mm×3.3-mm占地面积
- 针对5V栅极驱动进行了优化
- 低开关损耗
- 超低电感封装
- 符合RoHS
- 无卤素
- 无铅端子电镀