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CSD87381P

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: 5-PTAB (3x2.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
2500+ 2.49443 6236.08250
  • 库存: 2000
  • 单价: ¥10.40298
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.40
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 2 N通道(半桥)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 15A
  • 导通电阻 Rds(ON) 16.3欧姆@8A,8V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.9V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5nC @ 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 564皮法 @ 15V
  • 最大功率 4瓦
  • 包装/外壳 5-LGA
  • 供应商设备包装 5-PTAB (3x2.5)

CSD87381P 产品详情

CSD87381PEVM-603 NexFET功率块II是针对同步降压应用的高度优化设计,在3mm×2.5mm的小外形中提供高电流和高效率能力。该产品针对5V栅极驱动器应用进行了优化,提供了一种高效灵活的解决方案,当与来自外部控制器/驱动器的任何5V栅极驱动器配对时,能够提供高密度电源。

特色

  • 半桥电源块
  • 10 A时90%的系统效率
  • 高达15 A操作
  • 高密度–3×2.5 mm LGA封装
  • 双面冷却能力
  • 超低轮廓–最大0.48 mm
  • 针对5V栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 低电感封装
  • 符合RoHS
  • 无卤素
  • 无铅


CSD87381P所属分类:场效应晶体管阵列,CSD87381P 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD87381P价格参考¥10.402977,你可以下载 CSD87381P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD87381P规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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