9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD87312Q3E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD87312Q3E参考价格为1.17000美元。德州仪器CSD87312Q3E封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON。您可以下载CSD87312Q3E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD86350Q5D是MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerLDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有8-LSON（5x6）供应商器件封装，配置为双路，FET类型为2 N信道（半桥），最大功率为13W，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis-Vds为1870pF@12.5V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为40A，最大Id Vgs上的Rds为6 mOhm@20A，8V，Vgs最大Id为2.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10.7nC@4.5V，Pd功耗为13W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为23ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为40A 40A，Vds漏极-源极击穿电压为25V 25V，Rds漏极源极电阻为5mOhms 1.1mOhms，晶体管极性为N沟道，开发套件为CSD86350Q5DEVM-604。
CSD86360Q5D是MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON，包括2.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供NexFET等商标功能，技术设计用于Si，以及8-LSON（5x6）供应商设备包，该设备也可以用作NexFET？系列此外，上升时间为20.4ns，该器件提供13W功率最大，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装盒为8-PowerLDFN，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，输入电容Cis-Vds为2060pF@12.5，栅极电荷Qg-Vgs为12.6nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，下降时间为4.3ns，漏极到源极电压Vdss为25V，25°C的电流连续漏电流Id为50A，配置为PowerBlock。
CSD86350Q5DEVM-604是CSD86350Q 5D的EVAL模块，包括全填充板类型，设计用于25A电流输出，数据表注释中显示了290kHz的频率切换，提供了DC/DC、降压、输出等主要功能，类型设计用于1、非隔离以及降压调压器拓扑，该设备也可以用作NexFET？系列此外，提供的内容是板，该设备在CSD86350Q实用IC部件中提供，该设备具有8 V ~ 13 V的电压输入，电压输出为1.2V。
