9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD85301Q2T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD85301Q2T价格参考1.26000美元。德州仪器CSD85301Q2T封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON。您可以下载CSD85301Q2T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD85301Q2是MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON，包括NexFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000342盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于NexFET，以及6-WDFN暴露焊盘包装盒，该设备也可以用作硅技术，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件有2个通道数，供应商器件封装为6-WSON（2x2），FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为2.3W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为469pF@10V，FET特性为逻辑电平门，5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为5A，最大Id Vgs上的Rds为27mOhm@5A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.4nC@4.5V，晶体管极性为N沟道。
CSD83325L是MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR，包括6-PicoStar供应商设备包，它们设计用于NexFET？数据表说明中显示了用于2.3W的Power Max系列，该系列具有Digi-ReelR替代包装等包装功能，包装盒设计用于6-XFBGA，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装安装型。此外，栅极电荷Qg Vgs为10.9nC@4.5V，该器件提供2 N沟道（双）公共漏极FET类型，该器件具有FET特性标准。
CSD83325LT是MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR，包括标准FET功能，它们设计用于2 N沟道（双）公共漏极FET类型，栅极电荷Qg Vgs如数据表注释所示，用于10.9nC@4.5V，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及6-XFBGA封装外壳，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，最大功率为2.3W，该设备采用NexFET？该设备具有6 PicoStar供应商设备包。
