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FDZ1323NZ带有引脚细节，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001764盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于6-XFBGA、WLCSP以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有6-WLCSP（1.3x2.3）供应商器件封装，配置为单一，FET类型为2 N通道（双）公共漏极，最大功率为500mW，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为2055pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为10A，最大Id Vgs上的Rds为13 mOhm@1A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为24nC@10V、Pd功耗为2W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为13纳秒，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为10 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgs第栅-源极阈值电压为0.9 V，Rds漏极源极电阻为13 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为17nC，正向跨导Min为9S。
FDZ1416NZ带用户指南，包括1.3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在0.9 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于12 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如24 V，单位重量设计为在0.000784 oz内工作，以及9.5 ns典型开启延迟时间，该装置也可用作37ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供N沟道晶体管极性，器件具有Si of Technology，供应商器件封装为4-WLCSP，系列为PowerTrenchR，上升时间为12ns，Rds漏极源极电阻为23mOhms，Qg栅极电荷为12nC，功率最大值为500mW，Pd功耗为1.7W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为4-XFBGA，WLCSP，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，Id连续漏极电流为7A，栅极电荷Qg Vgs为17nC@4.5V，FET类型为2N沟道（双）公共漏极，FET特性为标准，下降时间为16ns，沟道模式为增强型。
FDY6342L是集成电路负载开关8V-0.83A SC89-6，包括0.83 A电流限制，它们设计为以最大830mA电流输出运行，输入类型如数据表注释所示，用于非反相，提供开/关等接口功能，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，输出数量为1，设备的最大导通电阻为0.5欧姆，设备的工作电源电压为8 V，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），输出配置为高压侧，输出电流为830 mA，输出类型为P通道，封装外壳为SOT-563、SOT-666，包装为Digi-ReelR交替包装，Pd功耗为625 mW，产品为负载开关，输入输出比为1899/12/30 1:01:00，Rds On Typ为280 mOhm，供应商设备包装为SC-89-6，电源电压最大值为8 V，电源电压最小值为8伏，开关类型为通用型，单位重量为0.001129盎司，电压负载为2.5V~8V，不需要电压源Vcc-Vdd。
