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NDH8521C

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta), 2.7A (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-8. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 425

数量 单价 合计
425+ 5.14245 2185.54507
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 场效应管特性 标准
  • 最大功率 800mW (Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 供应商设备包装 SuperSOT-8.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.8A (Ta), 2.7A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 33毫欧姆 @ 3.8A, 10V, 70毫欧姆 @ 2.7A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V, 27nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 500皮法 @ 15V, 560皮法 @ 15V
  • 包装/外壳 8-LSOP (0.130", 3.30毫米 Width)

NDH8521C 产品详情

NDH8521C所属分类:场效应晶体管阵列,NDH8521C 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。NDH8521C价格参考¥5.142459,你可以下载 NDH8521C中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NDH8521C规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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