9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2011UFX-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2011UFX-7参考价格为0.90000美元。Diodes Incorporated DMN2011UFX-7封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4。您可以下载DMN2011UFX-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2011UFDE-7，带有引脚细节，包括DMN2011系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如6-UDFN暴露焊盘，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在U-DFN2020-6供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为610mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为2248pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为11.7A（Ta），最大Id Vgs的Rds为9.5 mOhm@7A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为56nC@10V，Pd功耗为1.97 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13.5 ns，上升时间为2.6 ns，并且Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为11.7A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第th栅极-源阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为15mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21.6ns，典型导通延迟时间为3.6ns，Qg栅极电荷为56nC，信道模式是增强。
带有用户指南的DMN2011UFDE-13，包括1 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计用于12 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如3.6 ns，典型的关闭延迟时间设计为21.6 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为PowerDI，该器件采用Si技术，该器件具有DMN2011系列，上升时间为2.6ns，Rds漏极-源极电阻为15mOhms，Qg栅极电荷为56nC，Pd功耗为1.97W，封装为卷轴，封装盒为UDFN2020-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为11.7 A，下降时间为13.5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的DMN2010UDZ-7，包括11A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在24V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N通道（双）公共漏极，栅极电荷Qg Vgs设计为在33.2nC@4.5V下工作，以及2665pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备具有6-UDFN封装盒暴露垫，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为700mW，最大Id Vgs的Rds为7 mOhm@5.5A，4.5V，系列为DMN2010，供应商设备封装为U-DFN2535-6，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，Vgs th Max Id为1.5V@250μA。
