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G33N03D3

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 谷峰 (GOFORD)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@250A.
  • 场效应管特性 标准
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 供应商设备包装 8-DFN (3x3)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17.5nC@10V
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 制造厂商 谷峰 (GOFORD)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 33A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 12毫欧姆@18A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1938皮法@15V
  • 最大功率 20W(Tc)

G33N03D3 产品详情

G33N03D3所属分类:场效应晶体管阵列,G33N03D3 由 谷峰 (GOFORD) 设计生产,可通过久芯网进行购买。G33N03D3价格参考¥1.103818,你可以下载 G33N03D3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询G33N03D3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

谷峰 (GOFORD)

谷峰 (GOFORD)

深圳市谷峰电子有限公司GOFORD SEMICONDUCTOR,于1995年在香港成立。现已在全球各地建立分公司、办事处和代理网络。国家高新技术企业。GOFORD专注于半导体功率元器件MOSFET场效应...

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