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G30N04D3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 19.8W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (3.15x3.05) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 谷峰 (GOFORD)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.21680 1.21680
  • 库存: 10
  • 单价: ¥1.21681
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.22
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 30A (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 场效应管特性 标准
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 10 V
  • 制造厂商 谷峰 (GOFORD)
  • 导通电阻 Rds(ON) 9.5毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1780 pF@20 V
  • 最大功耗 19.8W(Tc)
  • 供应商设备包装 8-DFN (3.15x3.05)
  • 色彩/颜色 -

G30N04D3 产品详情

G30N04D3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),G30N04D3 由 谷峰 (GOFORD) 设计生产,可通过久芯网进行购买。G30N04D3价格参考¥1.216807,你可以下载 G30N04D3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询G30N04D3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

谷峰 (GOFORD)

谷峰 (GOFORD)

深圳市谷峰电子有限公司GOFORD SEMICONDUCTOR,于1995年在香港成立。现已在全球各地建立分公司、办事处和代理网络。国家高新技术企业。GOFORD专注于半导体功率元器件MOSFET场效应...

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