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SI9936BDY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件采用逻辑电平门FET特性，该器件具有4.5A电流连续漏极Id 25°C，最大Id Vgs的Rds为35mOhm@6A，10V，Vgs最大Id为3V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为13nC@10V。
SI9936BDY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC，包括3V@250μ，以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供13nC@10V栅极电荷Qg Vgs，该器件具有2 N通道（双）FET类型，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A。
SI9936BDY-TI-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI9936BDY-TI-E3采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
