9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN3012LEG-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN3012LEG-7价格参考1.66000美元。Diodes Incorporated DMN3012LEG-7封装/规格：MOSFET BVDSS：25V-30V POWERDI333。您可以下载DMN3012LEG-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN3010LK3-13带有引脚细节，包括DMN3010系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于PowerDI，以及to-252-3包装盒，该设备也可用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为2.4 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10.7 ns，上升时间为19.6 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为43A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为10mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为4.5ns，Qg栅极电荷为16.1nC，沟道模式为增强。
DMN3010LSS-13是MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.030018 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如5.6 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMN3010系列，该器件的上升时间为8 ns，漏极电阻Rds为9 mOhms，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOP-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为16 A，下降时间为27 ns，配置为单四漏三源，通道模式为增强。
DMN3010LSS-13-F，电路图由DIODES制造。DMN3010LSS-13-F采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
