PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于上一代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。
特色
- –6.9安培,–30伏特
- RDS(开启)=22 mΩ@VGS=–10 V
- RDS(开启)=35 m@VGS=–4.5 V
- 适用于电池应用的扩展VGSS范围(–25V)
- ESD保护二极管(注3)
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
- 高功率和电流处理能力
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。