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FDS4935BZ

  • 描述:场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.66346 6.66346
10+ 5.96090 59.60907
100+ 4.64704 464.70450
500+ 3.83888 1919.44100
1000+ 3.21439 3214.39900
2500+ 3.21439 8035.99750
  • 库存: 0
  • 单价: ¥6.66347
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.66
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 2个P通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 最大功率 900mW
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6.9A
  • 导通电阻 Rds(ON) 22毫欧姆@6.9A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 40nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1360皮法@15V

FDS4935BZ 产品详情

PowerTrench®双P沟道MOSFET,Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于上一代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • –6.9安培,–30伏特
  • RDS(开启)=22 mΩ@VGS=–10 V
  • RDS(开启)=35 m@VGS=–4.5 V
  • 适用于电池应用的扩展VGSS范围(–25V)
  • ESD保护二极管(注3)
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
  • 高功率和电流处理能力

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDS4935BZ所属分类:场效应晶体管阵列,FDS4935BZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS4935BZ价格参考¥6.663468,你可以下载 FDS4935BZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS4935BZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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