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FDS89161LZ

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.57582 6.57582
  • 库存: 40
  • 单价: ¥6.57583
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    - +
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
  • 最大功率 1.6瓦
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.7A
  • 导通电阻 Rds(ON) 105毫欧姆@2.7A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.3nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 302皮法 @ 50V

FDS89161LZ 产品详情

PowerTrench®双N沟道MOSFET,Fairchild半导体

ON Semis PowerTrench®MOSFET经过优化的功率开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷、小反向恢复和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • 屏蔽栅MOSFET技术
  • VGS=10 V,ID=2.7 A时,最大rDS(开)=105 mΩ
  • VGS=6 V,ID=2.1 A时,最大rDS(开)=171 mΩ
  • 用于极低rDS的高性能沟槽技术(开启)
  • 广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力
  • 100%UIL测试
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • 同步整流器
  • 桥接拓扑的主交换机
FDS89161LZ所属分类:场效应晶体管阵列,FDS89161LZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS89161LZ价格参考¥6.575829,你可以下载 FDS89161LZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS89161LZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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