久芯网

IRLHS6276TRPBF

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 6-PQFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.11058 2.11058
  • 库存: 500
  • 单价: ¥2.11058
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.11
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@10A.
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大功率 1.5瓦
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.5A
  • 导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 3.4A, 4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 310皮法 @ 10V
  • 包装/外壳 6-VQFN
  • 供应商设备包装 6-PQFN (2x2)

IRLHS6276TRPBF 产品详情

N沟道功率MOSFET 12V至25V,英飞凌

英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的N沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 超级逻辑电平:针对4.5 V栅极驱动电压进行优化,能够提供2.5 V栅极驱动
  • 行业标准表面安装电源组件
  • 可能替换高RDS(on)PQFN 3.3x3.3包
IRLHS6276TRPBF所属分类:场效应晶体管阵列,IRLHS6276TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRLHS6276TRPBF价格参考¥2.110581,你可以下载 IRLHS6276TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRLHS6276TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
会员中心 微信客服
客服
回到顶部