9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI6926ADQ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI6926ADQ-T1-GE3参考价格为1.01000美元。Vishay Siliconix SI6926ADQ-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP。您可以下载SI6926ADQ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI6926ADQ-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP，其中包括SI6926A DQ系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI6926A-DQ-T1的零件别名，该SI6926A-DQ-T1提供单位重量功能，如0.005573盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒外，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件有2个通道数，供应商器件封装为8-TSSOP，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为830mW，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.1A，最大Id Vgs上的Rds为30 mOhm@4.5A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10.5nC@4.5V，Pd功耗为830 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为16 ns，上升时间为16纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为4.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，漏极-漏极电阻为30 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为6ns，信道模式为增强。
SI6925DQ-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI6925DQ-T1-E3采用TSSOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SI6926ADQ-T1-E3-S，带有VISHAY制造的电路图。SI6926ADQ-T1-E3-S采用MSOP8封装，是IC芯片的一部分。
