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EFC2K102NUZTDG

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta) 供应商设备包装: 10-WLCSP(2.98x1.49) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.95318 6.95318
10+ 6.25062 62.50623
100+ 4.87085 487.08500
500+ 4.02357 2011.78800
1000+ 3.36903 3369.03500
5000+ 3.36903 16845.17500
  • 库存: 355000
  • 单价: ¥6.95318
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.95
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 12伏
  • 场效应管类型 2 N通道(双)公共漏极
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.3V@1毫安
  • 场效应管特性 逻辑电平门,2.5V驱动
  • 包装/外壳 10-SMD,无引线
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 33A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.65欧姆@5A,4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 42nC @ 3.8V
  • 最大功率 3.1W(Ta)
  • 供应商设备包装 10-WLCSP(2.98x1.49)

EFC2K102NUZTDG 产品详情

该功率MOSFET具有低导通状态电阻。该设备适用于便携式机器的电源开关等应用。最适合单电池锂离子电池应用。

特色

  • 高速切换
  • 减少动态功耗
  • 低栅极电荷
  • 驾驶方便,开启速度更快
  • 2.5 V驱动器
  • 2 kV ESD HBM
  • 普通排水类型
  • ESD二极管保护门
  • RoHS合规性

应用

  • 单电池锂离子电池充放电开关
  • 便携式机器
EFC2K102NUZTDG所属分类:场效应晶体管阵列,EFC2K102NUZTDG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。EFC2K102NUZTDG价格参考¥6.953184,你可以下载 EFC2K102NUZTDG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询EFC2K102NUZTDG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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