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ECH8663R-TL-H

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 13.68908 13.68908
10+ 12.26223 122.62230
100+ 9.85758 985.75870
500+ 8.09930 4049.65000
1000+ 7.36298 7362.98700
3000+ 7.36291 22088.74500
  • 库存: 18265
  • 单价: ¥13.68908
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.69
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8A
  • 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
  • 最大功率 1.5瓦
  • 导通电阻 Rds(ON) 20.5毫欧姆@4A,4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12.3nC @ 4.5V
  • 供应商设备包装 8-ECH

ECH8663R-TL-H 产品详情

ECH8663R-TL-H是一种N沟道功率MOSFET,30V,8A,20.5mΩ,双ECH8,用于通用开关器件应用。

特色

  • 低导通电阻
  • 2.5V驱动器
  • 普通排水类型
  • 保护二极管输入
  • 内置栅极保护电阻器
  • 最适合锂离子充放电开关

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用
ECH8663R-TL-H所属分类:场效应晶体管阵列,ECH8663R-TL-H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ECH8663R-TL-H价格参考¥13.689081,你可以下载 ECH8663R-TL-H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ECH8663R-TL-H规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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