英飞凌的双功率MOSFET集成了两个HEXFET®器件,以提供节省空间、成本效益高的开关解决方案,适用于电路板空间较高的高组件密度设计。提供多种封装选项,设计者可以选择双N通道配置。
特色
- 符合RoHS
- 低RDS(打开)
- 动态dv/dt额定值
- 快速切换
- 双N沟道MOSFET
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 9.84382 | 9.84382 |
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英飞凌的双功率MOSFET集成了两个HEXFET®器件,以提供节省空间、成本效益高的开关解决方案,适用于电路板空间较高的高组件密度设计。提供多种封装选项,设计者可以选择双N通道配置。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。