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ECH8661-TL-H

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A, 5.5A 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.02561 7.02561
10+ 6.30856 63.08566
100+ 4.91648 491.64810
500+ 4.06138 2030.69200
1000+ 3.40068 3400.68600
3000+ 3.40075 10202.27700
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.02561
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.03
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
  • 最大功率 1.5瓦
  • 供应商设备包装 8-ECH
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7A, 5.5A
  • 导通电阻 Rds(ON) 24欧姆@3.5A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11.8nC@10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 710皮法 @ 10V

ECH8661-TL-H 产品详情

双N/P沟道MOSFET,ON半导体

NTJD1155L是双沟道MOSFET。该MOSFET具有P沟道和N沟道的特点,可用于低控制信号、低电池电压和高负载电流。N沟道具有内部ESD保护,可由低至1.5V的逻辑信号驱动,而P沟道设计用于负载切换应用。P沟道也采用ON半导体的沟槽技术设计。

特色

  • 关于阻力 - N信道:RDS(开启)1=18mΩ(典型值) - P通道:RDS(开启)1=30mΩ(典型值)
  • 4.0V驱动器
  • 保护二极管输入

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用
ECH8661-TL-H所属分类:场效应晶体管阵列,ECH8661-TL-H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ECH8661-TL-H价格参考¥7.025613,你可以下载 ECH8661-TL-H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ECH8661-TL-H规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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