NTJD1155L是双沟道MOSFET。该MOSFET具有P沟道和N沟道的特点,可用于低控制信号、低电池电压和高负载电流。N沟道具有内部ESD保护,可由低至1.5V的逻辑信号驱动,而P沟道设计用于负载切换应用。P沟道也采用ON半导体的沟槽技术设计。
特色
- 关于阻力 - N信道:RDS(开启)1=18mΩ(典型值) - P通道:RDS(开启)1=30mΩ(典型值)
- 4.0V驱动器
- 保护二极管输入
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 7.02561 | 7.02561 |
10+ | 6.30856 | 63.08566 |
100+ | 4.91648 | 491.64810 |
500+ | 4.06138 | 2030.69200 |
1000+ | 3.40068 | 3400.68600 |
3000+ | 3.40075 | 10202.27700 |
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NTJD1155L是双沟道MOSFET。该MOSFET具有P沟道和N沟道的特点,可用于低控制信号、低电池电压和高负载电流。N沟道具有内部ESD保护,可由低至1.5V的逻辑信号驱动,而P沟道设计用于负载切换应用。P沟道也采用ON半导体的沟槽技术设计。
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