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SI6562CDQ-T1-GE3

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.7A, 6.1A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
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数量 单价 合计
1+ 7.74990 7.74990
10+ 6.93145 69.31455
100+ 5.40610 540.61010
500+ 4.46568 2232.84100
1000+ 3.52548 3525.48200
3000+ 3.52548 10576.44600
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 8-TSSOP (0.173", 4.40毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-TSSOP
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23nC @ 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6.7A, 6.1A
  • 导通电阻 Rds(ON) 22毫欧姆@5.7A,4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 850皮法 @ 10V
  • 最大功率 1.6瓦、1.7瓦

SI6562CDQ-T1-GE3 产品详情

SI6562CDQ-T1-GE3所属分类:场效应晶体管阵列,SI6562CDQ-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI6562CDQ-T1-GE3价格参考¥7.749903,你可以下载 SI6562CDQ-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI6562CDQ-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

黑森尔 (Vishay Siliconix)

黑森尔 (Vishay Siliconix)

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...

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