9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN2029USD-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2029USD-13参考价格为0.44000美元。Diodes Incorporated DMN2029USD-13封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO。您可以下载DMN2029USD-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2029USD-13带引脚细节，包括DMN2029系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为1.2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1171pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为5.8A，最大Id Vgs上的Rds为25 mOhm@6.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为18.6nC@8V，Pd功耗为1.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为53.5 ns，上升时间为10.4 ns，Vgs栅源电压为+/-8 V，Id连续漏电流为5.8 A 5.8 A，Vds漏源击穿电压为20 V 20 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1.5V，Rds漏极-源极电阻为25mOhms 25mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为119.3ns，典型接通延迟时间为16.5ns，Qg栅极电荷为10.4nC，正向跨导最小值为10S，沟道模式为增强。
带有用户指南的DMN2028UVT-13，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了DMN2028等系列功能，包装设计为在卷筒中工作，以及1个信道数。
带有电路图的DMN2028UVT-7，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于DMN2028，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
DMN2028USS-13-F，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DMN2028USS-13-F采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
