HEXFET®功率MOSFET的这种蜂窝式设计专门为汽车应用而设计，利用最新的处理技术实现每个硅区域的低导通电阻。这一优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计相结合，为设计者提供了一种用于汽车和各种其他应用的极其高效和可靠的器件。
特色
- 先进的平面技术
- 动态dV/dT额定值
- 175°C工作温度
- 快速切换
- 完全雪崩等级
- 允许重复雪崩达到Tjmax
- 无铅，符合RoHS
- 汽车认证
应用
- 端口注入
- 电磁阀喷射
AUIRF7103QTR
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 11.58864 | 11.58864 |
| 10+ | 10.35010 | 103.50104 |
| 100+ | 8.07221 | 807.22120 |
| 500+ | 6.66824 | 3334.12400 |
| 1000+ | 5.84936 | 5849.36600 |
| 4000+ | 5.84936 | 23397.46400 |
- 库存: 3995
- 单价: ¥11.58864
-
数量:
- +
- 总计: ¥11.59
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 标准
- 漏源电压标 (Vdss) 50V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15nC @ 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3A
- 导通电阻 Rds(ON) 130毫欧姆@3A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 25伏时为255华氏度
- 最大功率 2.4瓦
AUIRF7103QTR 产品详情
AUIRF7103QTR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | AUI15-4671 | 联合元件国际公司 (Allied) | UI15 SMD CCFL TRANSFORMER | ¥63.37538 |
 | AUI15-4677 | 联合元件国际公司 (Allied) | 240uH, UI15 Core SMD Transformer | ¥47.07885 |
 | AUIR3242SDEMOBOARDTOBO1 | 英飞凌 (Infineon) | 采用的IC/零件: auir3242 种类: 电源管理 功能: 配电开关（负荷开关） | ¥3,637.60167 |
 | AUIRF4905S | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.80554 |
 | AUIRFR024N | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.92517 |
 | AUIRFS4310Z | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.13766 |
| AUIRFU8403-701TRL | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 99W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO251-3-21 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.26947 |
| AUIRFB8405-071 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 163W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.2878 |
| AUIRG4BC30S-S | AUIRG4B30 - AUTOMOTIVE IGBT DISC | ¥11.0728 | |
 | AUIRGP35B60PD-E | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 308 W 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥35.20049 |
AUIRF7103QTR所属分类：场效应晶体管阵列，AUIRF7103QTR 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AUIRF7103QTR价格参考￥11.588640，你可以下载 AUIRF7103QTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AUIRF7103QTR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
