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IPG20N06S4L-26是MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于IPG20N6S4L26ATMA1 IPG20N86S4L26XT SP000705588的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为2信道，该器件采用双配置，该器件具有2 N信道晶体管型，Pd功耗为33 W，其最大工作温度范围为+175 C，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为20 a，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，漏极-源极电阻Rds为26毫欧姆，晶体管极性为N沟道。
IPG20N06S4L14ATMA2，带用户指南，包括2.2V@20μA Vgs th Max Id，设计用于PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于汽车、AEC-Q101、OptiMOS？、？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如13.7 mOhm@17A，10V，Power Max设计为工作在50W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作8-PowerVDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有2890pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为39nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id为25°C，为20A。
IPG20N06S4L-26A带有电路图，包括SMD/SMT安装样式，它们设计用于1信道数的信道，封装情况如数据表注释所示，用于TDSON-8，该TDSON-8提供卷盘等封装功能，零件别名设计用于IPG20N6S4L26AATMA1 SP001023848以及XPG20N06系列，该设备也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
