9icnet为您提供Diodes公司设计和生产的DMN601DMK-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN601DMK-7参考价格为0.46000美元。Diodes Incorporated DMN601DMK-7封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26。您可以下载DMN601DMK-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN6013LFG-13带有引脚细节，包括DMN60系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002540盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerDI-3333以及Si技术，该设备也可用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为11.7 ns，上升时间为9.9 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为10.3 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为12.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27.6ns，典型接通延迟时间为6.2ns，Qg栅极电荷为26.6nC，沟道模式为增强型。
DMN6013LFG-7，带用户指南，包括1.8 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供0.002540 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为6.2 ns，以及27.6 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联DMN60，上升时间为9.9ns，Rds漏极-源极电阻为12.3 mOhms，Qg栅极电荷为26.6 nC，Pd功耗为1 W，封装为卷轴式，封装外壳为PowerDI-3333，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为10.3 A，下降时间为11.7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMN600V-7，电路图由DIODES制造。DMN600V-7采用SOT563封装，是IC芯片的一部分。
