9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN2004DMK-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2004DMK-7参考价格为0.46000美元。Diodes Incorporated DMN2004DMK-7封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26。您可以下载DMN2004DMK-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN15H310SE-13带有引脚细节，包括DMN15系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-223-3以及Si技术，该设备也可用于1信道数信道。此外，该配置为单双漏极，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有1.9 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为7.8 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为178mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11ns，典型接通延迟时间为3.5ns，Qg栅极电荷为8.7nC，沟道模式为增强。
带用户指南的DMN13H750S-7，包括2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于130 V，提供0.000282 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为2.3 ns，以及6.6 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联DMN13，上升时间为1.7ns，漏极-源极电阻Rds为410mOhms，Qg栅极电荷为5.6nC，Pd功耗为1.26W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-23-3，通道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为1A，下降时间为1.7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMN15H310SK3-13，带有电路图，包括卷筒包装，设计用于DMN15H310系列，数据表注释中显示了用于Si的技术。
