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BSC150N03LDGATMA1

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: PG-TDSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.69148 8.69148
10+ 7.78611 77.86118
100+ 6.06882 606.88260
500+ 5.01353 2506.76750
1000+ 4.39788 4397.88900
5000+ 4.39788 21989.44500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.60505
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.69
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8A
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 供应商设备包装 PG-TDSON-8-4
  • 导通电阻 Rds(ON) 20A、10V时为15欧姆
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13.2nC@10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1100皮法@15V
  • 最大功率 26瓦

BSC150N03LDGATMA1 产品详情

英飞凌OptiMOS™3个功率MOSFET,最高40V

光学MOS™ 产品以高性能封装提供,以应对最具挑战性的应用,在有限的空间内提供充分的灵活性。这些Infineon产品旨在满足并超过计算应用中的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

用于SMPS的快速开关MOSFET
DC/DC转换器的优化技术
根据JEDEC1)对目标应用进行认证
N通道,逻辑电平
优秀的栅极电荷x R DS(on)乘积(FOM)
导通电阻非常低R DS(开)
无铅电镀

BSC150N03LDGATMA1所属分类:场效应晶体管阵列,BSC150N03LDGATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSC150N03LDGATMA1价格参考¥7.605045,你可以下载 BSC150N03LDGATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSC150N03LDGATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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